Design of a 1-V 90-nm CMOS adaptive LNA for multi-standard wireless receivers

Federico Sandoval Ibarra, R. Fernández, L. E. Valencia Treviso

Resumen


En este artículo se presenta el diseño de un LNA (del inglés Low-Noise Amplifier) configurable para la próxima generación de dispositivos digitales personales. El circuito, diseñado con la aproximación de circuitos concentrados e implementado en una tecnología CMOS, 90nm, de RF, consta de una topología formada por dos etapas que combina degeneración inductiva de fuente, redes de entonado basada en varactores, y circuitos de polarización programables para adaptar el desempeño a las diferentes especificaciones del estándar con reducido número de inductores y mínima disipación de potencia. Como aplicación, el LNA que se diseña satisface los requerimientos de GSM (PCS1900), WCDMA, Bluetooth y WLAN (IEEE 802.11b-g). Los resultados de simulación, incluyendo el efecto de los elementos parásitos, demuestran una correcta operación del para LNA los estándares mencionados, obteniendo NF<1.77 dB, S21 >16dB, S11 <-5.5dB, S22 <-5.5 DB Y IIP3>-3.3 DBM En la banda 1.85-2.48 GHz band, con un consumo de potencia entre 25.3mW y 53.3mW. El patrón geométrico del lna ocupa un área de 1.18 ×1.18 μM2.


Palabras clave


Circuitos integrados; dispositivos integrados con efecto de campo; amplificadores

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