Effect of giant electric fields on the optical properties of GaN quantum wells

G. González de la Cruz, H. Herrera, A. Calderón Arenas

Resumen


Los campos piezoeléctricos y espontáneos son de gran relevancia en el estudio de las propiedades ópticas en estructuras nitrogenadas. Dichos campos modifican los estados electrónicos en el pozo cuántico y como consecuencia la energía de emisión en los espectros de fotoluminiscencia. Los campos eléctricos presentes en el pozo cuántico, por ejemplo GaN/AlXGa1-XN, inhiben la transición de recombinación entre electrones en la banda de conducción y huecos en la banda de valencia. Además, el corrimiento hacia bajas energías en la posición del pico de fotoluminiscencia y la separación espacial entre electrones y huecos en el limite de campos eléctricos intensos, son explicados usando un pozo de potencial triangular en la ecuación de Schrödinger en lugar de un pozo cuadrado. Las energías de transición obtenidas por este modelo son comparadas con experimentos de fotoluminiscencia.


Palabras clave


Pozos cuánticos semiconductores; campo eléctrico; fotoluminiscencia

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